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IBM儲存技術新突破 新PCM晶片容量翻倍 更加可靠

鉅亨網編譯許家華 綜合外電 2011-07-01 17:50


IBM儲存技術新突破 新PCM晶片容量翻倍 更加可靠   (圖:IBM新PCM晶片)
IBM儲存技術新突破 新PCM晶片容量翻倍 更加可靠 (圖:IBM新PCM晶片)

IBM (IBM-US) 研究員研發出記憶儲存新技術,可更可靠地長時間在伺服器上儲存數據。


此技術稱為相變化記憶體 (phase-change memory),簡稱 PCM 記憶體,可取代快閃記憶體,快閃記憶體在移動設備尚的使用程度相當熱門,但在高階企業基礎設施等卻有所限制。

IBM 周賜表示,已研發出一種 PCM 晶片,與其他 PCM 晶片相比,此款可有效讓設備記憶容量翻升一倍,但錯誤率卻仍舊維持低檔。一般 PCM 晶片若長時間儲存數據可能出現一些問題。

獨立研究分析師 Claus Egge 表示:「PCM 晶片的一大問題就是信賴程度,如果你儲存東西的時間太久,就得排除很多錯誤才能叫回檔案。」

IBM 表示,此回改善的 PCM 晶片是成本較低、速度較快且更加耐用的記憶體,可用在消費性設備和數據中心產品。IBM 可能授權此技術,而不是靠自己製造 PCM。IBM 每年自授權技術的業務,收入約莫 10 億美元。

IBM 預期大概 5 年的時間,自家設計的 PCM 晶片就會應用至伺服器和雲端儲存等的產品上,但現在判定 PCM 適用什麼市場言之過早了。

IBM 預期,就速度和耐久度而言,PCM 可成為跨越快閃記憶體和 DRAM 記憶體之間差距的橋梁,雖然 PCM 速度無法跟上 DRAM,但讀取和寫入數據速度卻是快閃記憶體 100 倍。PCM 也較耐用,寫入循環達 1000 萬次,高於快閃記憶體的 3 萬次。

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