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精實新聞 2013-03-19 記者 蔡承啟 報導
據報導,Panasonic已藉由有機金屬化學汽相沉積(MOCVD)技術,在直徑6吋的矽基板上長成GaN,研發出採用自家結構的常關型(normally-off)GaN電晶體產品,且並成功抑制「電流坍塌現象(current collapse;指動作時電流減少、電阻增加的現象)」問題。
夏普(Sharp)甫於3月14日宣布,已研發出一款採用「氮化鎵(GaN)」、額定電壓為600V的功率電晶體(Power transistor)產品,並計劃於今(2013)年內利用福山工廠的6吋產線進行量產,藉此正式進軍GaN電源控制晶片市場。
據日經指出,夏普計劃以月產25萬個的規模開始量產上述GaN電源控制晶片產品,並計劃於2015年將其營收規模提高至100億日圓,而夏普也將成為繼富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)之後第2家量產GaN電源控制晶片的日系廠商。
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