聯電攜手Kilopass擴展28奈米矽智財合作

聯電(2303-TW)(UMC-US)與Kilopass今(28)日共同宣佈，雙方已簽署技術開發協議供。此次的新協議案，將雙方夥伴關係擴展到28奈米先進製程平台。

Kilopass非揮發性記憶體矽智財將於聯電兩個28奈米先進製程平台上提供，分別為：適用於生產可攜式裝置產品系統單晶片的高介電質金屬閘28HPM；以及受消費性電子產品系統單晶片設計公司青睞的多晶矽28HLP製程。

聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援副總簡山傑表示，該公司不斷致力於先進技術開發和及時的產能導入，以充分滿足客戶的需求。為了確保客戶在28奈米製程上，不僅可以採用聯電eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智財，也能獲取最佳第三方廠商之揮發性記憶體矽智財，聯電十分樂意與Kilopass公司持續合作，以確保其多元化的反熔絲非揮發性記憶體矽智財產品，能夠在28奈米製程平台上提供給客戶採用。

Kilopass公司董事長暨執行長Charlie Cheng表示，Kilopass與聯電進行中的策略合作，為兩家公司創造了雙贏。對於聯電來說，將可在其先進製程平台上，為客戶提供更廣泛的矽智財產品組合，對於Kilopass而言，則可將業務範圍拓展到聯電28奈米製程市佔率日益提升的行動設備與消費性電子系統單晶片產品市場。

Kilopass與聯電的合作關係開始於2010年的40LP製程，現已完成推出。隨著客戶對其他製程需求的增加，兩家公司決定進一步於130/110/55nm製程平台上提供反熔絲嵌入式非揮發性記憶體(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新協議案，則將雙方夥伴關係擴展到28奈米製程平台。