東芝將打造NAND Flash新廠 為生產次世代產品作準備

精實新聞 2013-07-02 13:41:02 記者 蔡承啟 報導

20130702_104_0.jpg -->全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)2日發布新聞稿宣布，為了確保NAND Flash次世代製程產品及3D記憶體的生產空間，旗下位於三重縣四日市第三座12吋NAND Flash廠「Fab 5(見附圖)」的第2期工程將於今(2013)年8月底動工興建，並預計於2014年夏天完工，惟該第2期工程的設備導入時間、開始生產時間、產能及生產計劃等細節，將視市場動向於今後再行決定。

為了柔軟因應市況需求，Fab 5整體興建工程分為2期，其中第1期工程已於2011年7月完工量產、並於同年8月出貨。Fab 5採用防震設計，廣泛採用LED照明以及尖端節能生產設備預期可使其二氧化碳排放量較Fab 4減少13%。

Feb 5第1期工程的廠房建築由東芝負責投資興建，而廠房內所需的設備投資則由東芝和SanDisk合資設立的Flash Forward, Ltd.(東芝、SanDisk各持有50.1%、49.9%股權)負責。

東芝於5月21日宣布，已研發出一款採用19nm第2世代製程的2-bit-per-cell 64Gb NAND Flash產品，其晶片尺寸達全球最小的94平方毫米(現行品為131平方毫米)，東芝並於今年5月份利用四日市工廠量產上述次世代NAND Flash產品。東芝並指出，該公司目前正在研發採用19nm第2世代製程的3-bit-per-cell產品，並預計於2013年7-9月期間進行量產。