全球首見！3-bit NAND flash由平面走向3D、三星量產

MoneyDJ新聞 2014-10-09 記者 陳苓 報導

三星電子(Samsung Electronics)9日宣布量產業界首見的3-bit 3D記憶體NAND flash晶片，可用於SSD硬碟，提升儲存效率。

韓聯社報導，三星8月首次發表這款記憶晶片，每個記憶單元(cell)皆可儲存3 bit數據，之前3-bit技術僅用於平面(Planar)NAND flash，如今拓展用途，使用於3D NAND flash。

新款3-bit 3D晶片採用第二代V-NAND技術，垂直堆疊32層，整合程度比24層晶片高出30%。NAND flash多用於智慧機、平板等行動裝置，電源關閉後，儲存內容也不會消失。DRAMeXchange數據顯示，今年第2季，三星電子NAND flash市佔率達30.8%，季增0.8%。

BusinessKorea 9月16日報導，2000年中期以來，NAND flash製程從40奈米一路降至16奈米，業界專家認為14奈米將是微縮製程極限，因為10奈米NAND flash技術上雖然可行，可是所需的設備投資過高，就算生產也難以獲利。

微縮製程遭遇瓶頸，業者因此另闢蹊徑，改採3D垂直架構。報導稱，其中三星電子技術最為先進，今年5月推出業界首見V-NAND技術堆疊32層，高於前代的24層。部分專家預估，三星可能已經完成48層堆疊的原型技術。另外SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等也投入研發。

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