垂直

09-24

全面突破！三星3D DRAM變「晶圓級樂高」專家：水平電容＋GAA＋PoC 目標是低壓低密度的全新DRAM單元

南韓三星電子近期在3D DRAM研發上交出階段性成果：其16層垂直堆疊VS-DRAM(Vertically Stacked DRAM)已完成晶片級讀寫驗證，核心以「水平電容＋GAA單元電晶體＋Peri-on-Cell鍵合」重構1T1C架構，目標是把DRAM從平面微縮推進到Z軸堆疊，延續10奈米以下節點的位元密度提升。

09-06A股

中國長鑫科技或能繞過EUV制裁？北方華創稱3D DRAM兩步刻蝕創突破性進展

中國半導體設備商北方華創(002371-CN) 近日公布最新研究成果，聲稱已開發出一種用於製造3D DRAM晶片的兩步驟蝕刻製程。若這項技術進一步應用於記憶體製造，可能有助中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 推進3D DRAM與垂直製造，破解極紫外（EUV）曝光機制裁限制。

07-12美股雷達

HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構

在日前登場的 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 技術與電路研討會上，來自南韓與日本的研究團隊不約而同發表了兩套全新的高頻寬記憶體（HBM）架構構想，雖出自不同單位、命名各異，核心思路卻高度雷同，將原本平躺堆疊的 DRAM 晶片改為「直立擺放」，藉此換取更充裕的散熱空間，同時緩解 AI 晶片日益吃緊的記憶體頻寬瓶頸。