CFET
台股新聞
imec推單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點
2024 年 IEEE 國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)本周舉行上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示具備電性功能的 CMOS 互補式場效電晶體(CFET)元件,其採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/汲極金屬接點(contact)。
2024-06-20
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imec推單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點
2024 年 IEEE 國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)本周舉行上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示具備電性功能的 CMOS 互補式場效電晶體(CFET)元件,其採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/汲極金屬接點(contact)。