華邦電「快閃」急追旺宏 詹東義：12吋90奈米助攻 差距將變小

華邦電(2344-TW) 總經理詹東義今(27)日表示，華邦電快閃記憶體(NOR Flash) 從今年第 4季起，由12吋廠90奈米製程生產比重快速提高，預估在明年 7月 1日前全數轉由90奈米生產，市占率可望逐步提高，未來 1年可望快速拉近與旺宏(2337-TW)之間的距離。

今年初NOR Flash大廠飛索(Spasion)申請破產保護，旺宏受惠轉單效益，NOR Flash 市占率持續提高，專長NOR Flash 領域的詹東義在今年 2月回任華邦電總經理後，帶領華邦電將NOR Flash 由 8吋廠 130和 110奈米技術，積極轉進12吋廠90奈米技術，不但領先業界，更持續降低生產成本。

詹東義表示，華邦電NOR Flash 在12吋廠90奈米製程產品，已在第 3季正式完成試產、測試到產品認證，雖然12吋送客戶認證時間較預期久，加上8 吋廠貨源不足，影響第 3季NOR Falsh 出貨，導致業績稍顯遲滯不前，但從第 4季起，12吋廠90奈米製程比重可望快速提升。

旺宏目前NOR Flash主要製程仍是 8吋廠130與 110奈米，華邦電若在明年中，成功將 NOR Flash產能由 8吋廠轉換至 12 吋廠，並全數以90奈米製程生產，詹東義極有信心的指出，華邦電的市占率將進一步提高，與旺宏的差距，會在未來 1年內快速拉近、縮小。

不過，詹東義坦承，雖然華邦電能以90奈米縮小與旺宏的差距，但旺宏在NOR Flash 產品線，包括序列式(Serial)和平行式(Parallel)，仍較華邦電僅有序列式產品來得齊全，因此，華邦電明年也將致力NOR Flash產品組合的改善，產品種類會再增加。