南韓晶圓大廠DB HiTek搶進8吋SiC 明年啟動開發

南韓第二大晶圓廠 DB HiTek 正加速開發碳化矽 (SiC) 功率元件,據南韓媒體 The Elec 今 (30) 日報導, DB HiTek 目標明年開始加入 8 吋市場,啟動 8 吋製程開發與設備投資。

DB HiTek 積極布局化合物半導體,今年已著手開發 8 吋 GaN 製程,目標最快 2024 年開發完成,目前 SiC 6 吋產能也正在測試、生產中,明年也將開始研發 8 吋,目標 2025 年開始出貨車用 1200 V 碳化矽 MOSFET。

DB HiTek 預計最快明年在上虞閒置場地開發 8 吋碳化矽功率元件開發與設備投資,而尚武廠則專注於成熟製程 CMOS 感測、混和訊號 IC 等。

至於台廠,目前進度也停留在 4、6 吋,漢磊董事長徐建華認為,邁向 8 吋是長期必然趨勢,但短期問題在成本效益,儘管產能可倍增,但 SiC 基板成本仍是問題,整體評估成本障礙還是大過產能增加效益。

漢磊持續擴大 6 吋 SiC 產能,漢磊表示,將依照原先計畫進行投資,今年月產能提升至 3000 片,預計未來兩年內 SiC 產能將成長超過 5 倍,明、後年矽基 (Silicon) 產能將降到 6 成水準。