〈觀察〉碳化矽8吋成本效益表現不佳 3年內難普及 

碳化矽8吋成本效益表現不佳 3年內難普及 (圖:AFP)
碳化矽8吋成本效益表現不佳 3年內難普及 (圖:AFP)

化合物半導體市場大幅成長,SiC 更被視為電動車、綠能等領域的關鍵要角,IDM 大廠等業者積極卡位並擴大產能,競相從主流 6 吋進入 8 吋市場,不過,國內指標廠漢磊認為,現階段 8 吋仍不符合成本效益,至少 3 年內很難取代 6 吋,6 吋仍具備一定競爭力。

目前全球 SiC 主流為 6 吋晶圓,年產能約 40-60 萬片,集邦預估 2025 年 6 吋 SiC 晶圓需求量將達 169 萬片,市場供給仍吃緊,國際大廠已搶先切入 8 吋晶圓市場,試圖擴大產能,意法半導體去年宣布量產 8 吋 SiC 晶圓,龍頭廠 Wolfspeed 8 吋廠也已開始投產,羅姆、Ⅱ-Ⅵ、英飛凌等業者也動作頻頻。

台廠目前進度仍停留在 4、6 吋,漢磊董事長徐建華認為,邁向 8 吋是長期必然趨勢,但短期問題在 8 吋成本效益,儘管產能可倍增,但 SiC 基板成本仍是問題,整體評估成本障礙還是大過產能增加效益。

徐建華說,過去 CMOS、矽製程進入 8 吋受惠晶圓尺寸、製程微縮,能顯著擴大產能,不過,對比電源產業 (包含 SiC 應用) ,製程微縮效益不大,但設備等成本卻會隨晶圓尺寸變大而大幅增加。

徐建華指出,以 4 吋到 6 吋來看,晶圓面積擴大 2.25 倍,成本價格增幅略低於此水準,加上 4 吋產能太低、設備太少,因而業者紛紛進展至 6 吋,但現在 8 吋成本 (基板) 是 6 吋 3 倍以上,而晶圓面積僅擴大 1.77 倍,只要成本無法收斂至 1.77 倍,便都不符合成本效益。

徐建華補充,進入 8 吋後還是有量產、良率問題,進一步使短期效益受限,至於 IDM 廠策略則有所不同,IDM 業者要為自家產品負責、有市占率等因素考量,因此有進入 8 吋的動機,願意吸收成本。

整體而言,徐建華認為,基板供給、成本目前仍是市場關鍵,目前基板占 SiC 晶片製造成本達 4-5 成,主因基板製程中大量長晶具有一定難度,IDM 業者已開始投資、建立基板廠來管控良率、量產能力,而漢磊也會積極布局多元供應鏈,鞏固基板供給。

SiC 晶片製造需經歷幾大階段,包含難度高的基板製造 (長晶、晶錠切割、拋光、修磨)、磊晶,以及晶圓設計、製造與封測,目前 SiC 這類化合物半導體市場主要由歐美 IDM 大廠所壟斷,包含 Wolfspeed、安森美、羅姆、意法半導體等。


鉅亨觀點與分析 | 鉅亨網記者、編譯群們

茫茫的訊息海中,讓鉅亨網記者、編譯團隊,幫讀者們解讀新聞事件背後的意涵,並率先點出產業與總經趨勢,為投資人提供最深入獨到的觀點,協助做出更精準的投資決策。

鉅亨AI投組

根據標的評分機制自動配置,使用AI優化效率前緣,創造高報酬率的投組。

try AI optimize

投資本金$10,000收益

AI優化後報酬率

+23.59%

$12,359

原投組報酬率

+17.44%

$11,744

投組標的成分

  • 40%

    亞元

    6109

  • 20%

    晶呈科技

    4768

  • 20%

    奇鋐

    3017

  • 10%

    連宇

    2482

  • 10%

    摩根基金-JPM中國(美元)-A股(分派)

延伸閱讀

相關貼文

prev icon
next icon