〈徐秀蘭開講〉SiC產能滿載供不應求 第四代半導體已申請專利

環球晶董事長徐秀蘭。(鉅亨網記者林薏茹攝)
環球晶董事長徐秀蘭。(鉅亨網記者林薏茹攝)

矽晶圓大廠環球晶 (6488-TW) 董事長徐秀蘭今 (13) 日表示,目前化合物半導體主力在碳化矽 (SiC),氮化鎵 (GaN) 也同步向前走,其中碳化矽產能滿載、供不應求,預期第四季、明年第一季將有顯著營收貢獻,而第四代半導體氧化鎵也在研發階段,專利已申請好。

隨著碳化矽元件大廠陸續朝 8 吋推進,徐秀蘭表示,雖然環球晶仍在 6 吋 SiC 晶圓階段,但長晶爐研發已朝 8 吋進行,相較 Wolfspeed 等大廠耕耘 SiC 超過 30 年,希望能設法跑快一點、後發先至,持續拉近落後的距離。

徐秀蘭說,環球晶也在研發第四代超寬能隙半導體,但市場仍很小,第三代半導體一定要先成熟,第三代、第四代半導體都在同步推進中,SiC 目前訂單滿載,不過設備不太夠,還在持續擴增產能。

談及半導體產業庫存修正,徐秀蘭指出,8 月底前看到客戶端修正都是 6 吋等小尺寸矽晶圓,9 月陸續有一、兩個 8 吋客戶,希望將年底的貨延到明年 1 月,或某幾個產品換項目出貨,還在溝通中。

不過,徐秀蘭表示,12 吋需求仍穩健,僅部分與消費性與手機連動較高的客戶,受到較多存貨調整壓力,盼能延遲兩周出貨,但未看到先進製程客戶出現庫存調整,需求續強;她也說,第三季還是有客戶陸續簽訂新長約。


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