晶片法案禁令定義未明 三星、SK海力士憂領補貼伴隨風險

晶片法案禁令定義未明 三星、SK海力士憂心領補貼伴隨風險。(圖:AFP)
晶片法案禁令定義未明 三星、SK海力士憂心領補貼伴隨風險。(圖:AFP)

據韓國媒體 Business Korea 報導,隨著美國晶片法案通過,但禁令定義仍未明確,三星、SK 海力士等半導體廠,日益擔心領取晶片法案補助,可能伴隨無法在中國擴充產能與投資的風險。

美國晶片與科學法案中,提供 390 億美元資金補貼,及為期四年的 25% 稅收抵免,以鼓勵企業在美國建廠,並提供要在美國打造研發中心的半島體廠 110 億美元補貼,但依規定,一旦申請取得補貼,未來十年將不得在中國等特定地區擴大產能與投資。

韓媒指出,該禁令針對 28 奈米以下製程技術,但禁令定義仍未釐清,是否涵蓋記憶體或僅限於非記憶體晶片。若僅限於非記憶體晶片,對三星、SK 海力士等半導體廠來說,風險將趨近於零,因為兩家廠商都未在中國生產非記憶體晶片。

不過,若禁令囊括記憶體晶片,三星、SK 海力士將受影響。目前三星 NAND Flash 廠座落西安,封測廠在蘇州,SK 海力士的 DRAM 和 NAND Flash 廠分別在無錫與大連,無錫廠量產 10 奈米級 DRAM,三星風險相對較低,因 NAND Flash 晶片主要以堆疊層數來計算,而非奈米級製程。

韓媒認為,無論何種情況,接受補助後的十年間,三星、SK 海力士投資計畫與活動都必須先知會美國商務部,將使兩家廠商無法完全免於風險。


鉅亨AI投組

根據標的評分機制自動配置,使用AI優化效率前緣,創造高報酬率的投組。

try AI optimize

投資本金$10,000收益

AI優化後報酬率

+27.13%

$12,713

原投組報酬率

+18.70%

$11,870

投組標的成分

  • 40%

    宜特

    3289

  • 20%

    M31

    6643

  • 20%

    台耀

    4746

  • 10%

    寶齡富錦

    1760

  • 10%

    摩根基金-JPM中國(美元)-A股(分派)

延伸閱讀

相關貼文

prev icon
next icon