劍指美光、SK海力士 三星今年將推出236層NAND Flash

劍指美光、SK海力士 三星今年將推出238層NAND Flash(圖:AFP)
劍指美光、SK海力士 三星今年將推出238層NAND Flash(圖:AFP)

據南韓媒體 BusinessKorea 今 (17) 日報導,三星電子今年將發表 236 層 NAND  Flash 快閃記憶體產品,並將在本月成立新的研發中心,負責開發更先進的 NAND Flash 產品。

記憶體廠持續增加 NAND Flash 堆疊層數,追求更高效能。美光科技首先宣布開發全球首款 232 層堆疊 NAND Flash,SK 海力士最近也宣布完成 238 層堆疊產品開發,中國長江存儲則完成 232 層堆疊 NAND Flash 開發。

SK 海力士表示, 238 層 NAND Flash 預計明年上半年開始大規模量產,238 層 NAND 晶片的傳輸數據速度提升 50%,數據消耗的能量降低 21%,比美光近期推出的 232 層 NAND 晶片堆疊層數更高。

這使得龍頭三星目前面臨追趕壓力,三星目前 NAND Flash 市占率 35% ,層數記錄僅為 176 層。

不過,近期記憶體市況低迷,記憶體大廠美光 (MU-US) 近期坦言,受客戶去化庫存影響,下修本季營收預估,並示警在位元出貨量減少下,下季營收、毛利率都將顯著下滑。


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