4奈米良率提升 三星計畫Q4啟動擴產

三星傳將擴產4奈米。(圖:AFP)
三星傳將擴產4奈米。(圖:AFP)

據南韓媒體報導,三星電子 4 奈米良率提升,將在今年第四季擴產 4 奈米產能,月產能將由目前的 1.5 萬片提升至 2 萬片;市場認為,雖然近來半導體產業受庫存去化干擾,但先進製程需求仍強,三星為持續拉近與台積電 (2330-TW)(TSM-US) 的距離,積極擴產先進製程。

南韓媒體 Infostock Daily 引用熟悉三星電子內部事務的官員說法,三星此次擴產計畫總投資額約 5 兆韓圜,隨著三星 4 奈米良率提升至接近 60%,可望吸引更多客戶加入投片,獲利能力也將快速成長。

先前高通因採三星 4 奈米製程生產的驍龍 8 Gen 1 良率出包、量產不順,新一代旗艦晶片驍龍 8 Gen 1 Plus 因此轉投台積電懷抱;在三星掉大單的同時,也傳出其 4 奈米良率僅約 35%,而台積電的良率則超過 70%。

不過,隨著三星近來因應面臨周期性市況波動的記憶體產業,為追求營運穩定成長,將更多資源往晶圓代工業務集中,4 奈米良率也有所提升,並趁勝追擊,積極擴產以追趕台積電。

除提升 4 奈米良率與產能規模外,三星 6 月底也宣布量產 3 奈米製程,成為首家導入 3 奈米 GAA(環繞閘極技術) 的公司,與台積電在先進製程上的競爭趨於白熱化。
 


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