英特爾揭露4奈米技術細節 將導入EUV

英特爾揭露4奈米技術細節。(圖:英特爾提供)
英特爾揭露4奈米技術細節。(圖:英特爾提供)

英特爾 (INTC-US) 近期公布 Intel 4 製程技術細節。英特爾表示,Intel 4 將導入極紫外光 (EUV) 微影設備,其於相同功耗,效能較 Intel 7 提升超過 20%,高效能元件庫密度則 2 倍,將應用於生產 PC 客戶端的 Meteor Lake 處理器,推進先進技術和製程模組,帶領英特爾 2025 年重回製程領先地位。

英特爾近期於美國檀香山舉行年度 VLSI 國際研討會,公布 Intel 4 製程技術細節。英特爾表示,Intel 4 於鰭片間距、接點間距及低層金屬間距等關鍵尺寸,持續朝向微縮方向前進,並同時導入設計技術偕同最佳化,縮小單一元件的尺寸。

透過 FinFET 材料與結構上的改良提升效能,Intel 4 單一 N 型半導體或是 P 型半導體,其鰭片數量從 Intel 7 高效能元件庫的 4 片降低至 3 片。綜合上述技術,Intel 4 能夠大幅增加邏輯元件密度,並縮減路徑延遲和降低功耗。

Intel 7 已導入自對準四重成像技術 (Self-Aligned Quad Patterning、SAQP) 與主動元件閘極上接點 (Contact Over Active Gate、COAG) 技術來提升邏輯密度。Intel 4 進一步加入網格布線方案 (gridded layout scheme),簡單化並規律化電路布線,提升效能同時並改善生產良率。

隨著製程微縮,電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小,導線電阻和線路直徑呈現反比,該如何維持導線效能也是需要克服的壁壘。Intel 4 採用新的金屬配方「強化銅」,使用銅做為導線、接點的主體,取代 Intel 7 所使用的鈷,外層再用鈷、鉭包覆,此配方兼具銅低電阻特性,並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位,進而讓電路失效的電遷移現象,為 Intel 3 和未來製程打下基礎。

英特爾表示,在 Intel 4 較高互連層中使用 EUV,以大幅度減少光罩數量和製程步驟,其降低製程的複雜性,也同步替未來製程節點建立技術領先地位及設備產能,英特爾將在這些製程更廣泛使用 EUV,更將導入全球第一款量產型高數值孔徑 (High-NA)EUV 系統。
 


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