三星與ASML達協議 採購下一代 High-NA EUV曝光機

三星與ASML達協議 採購下一代 High-NA EUV曝光機 (圖片:AFP)
三星與ASML達協議 採購下一代 High-NA EUV曝光機 (圖片:AFP)

韓媒《BusinessKorea》週四 (30 日) 報導,三星電子和 ASML 就引進今年生產的 EUV 曝光機和明年推出高數值孔徑極紫外光 High-NA EUV 曝光機達成採購協議。

三星電子副董事長李在鎔本月初赴歐洲之行,他在 6 月 14 日前往 ASML 位於荷蘭 Veldhoven 的總部拜訪執行長 Peter Wennink ,兩家公司簽署一項協議,將引進今年生產的 EUV 曝光機和計劃於明年推出高數值孔徑極紫外光 High-NA EUV 曝光機。

High-NA EUV 曝光機設備精密度更高、設計零件更多,是延續摩爾定律的關鍵,推動 2 奈米以下製程電晶體微縮,估計每台要價 4 億美元 (5000 億韓元)。

ASML (ASML-US) 今年只能生產 50 台 EUV 設備,交貨週期為 1 年又 6 個月,ASML 有限的生產能力和較長的交貨時間正加劇各大晶圓代工廠訂購 High-NA EUV 曝光機的競爭。

三星電子和 ASML 就引進今年生產的 EUV 曝光機和明年推出高數值孔徑極紫外光 High-NA EUV 曝光機達成採購協議 (圖片:AFP)
三星電子和 ASML 就引進今年生產的 EUV 曝光機和明年推出高數值孔徑極紫外光 High-NA EUV 曝光機達成採購協議 (圖片:AFP)

李在鎔此次歐洲行就是要積極確保穩定供應,期許在先進製程上追趕台積電,搶坐市占第一寶座。

英特爾 (INTC-US) 早前已率先與 ASML 簽約採購 5 台這款新設備,還宣稱 2024 年初就能生產 20A (2 奈米)、2024 年下半更能生產 18A (1.8 奈米)。台積電也在 6 月 16 日美國矽谷研討會上表示,台積電 (2330-TW)(TSM-US) 會在 2024 年擁有 ASML 次世代最先進的曝光機。

該報導指出,High-NA EUV 曝光機應用於其晶片製程的具體時間尚未確定,但考慮到交貨時間,預計三星將從 2024 年開始實際使用這項設備。 

近期一些市場觀察人士呼籲韓國政府對半導體業提供更多支持,前三星電子半導體研究所所長 Kim Kwang-gyo 近期表示韓國政府對半導體產業過於輕視,若不果斷擴大投資和解決半導體產業問題,韓國半導體業會面臨死路一條的局面。

三星電子已獲得 ASML 今年 EUV 曝光機產能中的 18 台。這意味三星僅在 EUV 曝光機上就將投資超過 4 兆韓元。一位業內人士表示,如果三星採購 10 台 High-NA EUV 曝光機,三星將花費超過 5 兆韓元,政府有必要擴大支持,以提高韓國國家產業競爭力。


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