搶先台積電 韓媒爆三星6/30開始量產3奈米

韓媒《BusinessKorea》週三 (29 日) 報導,三星電子將於 6 月 30 日開始率先量產環繞閘極技術 (GAA) 架構的 3 奈米製程。

該報導指出,三星將於本週四宣布開始大規模生產 3 奈米晶片,率先量產環繞閘極技術 (GAA) 架構的 3 奈米製程,期許透過押寶的新世代製程,一舉超越台積電,取得市佔領先地位。

三星押寶的 GAA 技術為新世代製程,能以更小的體積實現更好的功耗表現,可將晶片面積減少多達 45%,同時性能提高 30%,功耗降低 50%,將為晶片業帶來另一次重大設計轉折。

如果消息為真,三星將搶先台積電和英特爾量產 3 奈米晶片,台積電計劃下半年才開始量產 3 奈米晶片,英特爾則預計明年下半年才開始。

(圖片:AFP)
如果消息為真,三星將搶先台積電和英特爾量產 3 奈米晶片 (圖片:AFP)

韓媒指出,外界認為三星可能會因為低良率問題而推遲 3 奈米量產時程,然而,這些擔憂被證明是毫無根據的。南韓知名晶片分析師、HMC 投資證券公司研究中心主管 Greg Roh 透露,三星 3 奈米製程良率提升速度遠優市場預期。

不過也有市場分析師認為,三星率先量產 3 奈米晶片的宣傳效果大於實際,因為電晶體數量來說,三星的 3 奈米製程其實就是台積電 5 奈米。

截稿前,台北時間週三上午 11 時 30 分許,三星 (005930-KR) 週三下跌 1.85%,台積電 (2330-TW) 下跌 0.70%。