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GAA架構時代來臨 應材推新設備組合

鉅亨網記者魏志豪 台北 2022-04-25 12:09

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FinFET架構與GAA架構示意圖。(圖:應材提供)

隨著台積電 (2330-TW)(TSM-US)、三星陸續在 2 奈米、3 奈米導入 GAA 架構,美商應用材料 (ATMT-US) 今 (25) 日也宣布,除了協助客戶運用 EUV 持續進行 2D 微縮外,也展示次世代 3D 閘極全環電晶體 (GAA) 製造技術組合。

應材表示,晶片製造商正試圖透過兩個相互搭配的途徑,增加未來數年的電晶體密度,一種是依循傳統摩爾定律的 2D 微縮技術,透過 EUV 微影系統與材料工程以縮小線寬,另一種則使用設計技術最佳化 (DTCO) 與 3D 技術,布局最佳化邏輯單元去增加密度,且不需要改變微影間距。

以 3D 技術來看,應材指出,3D 技術需採用晶背電源,分配網路與閘極全環 (GAA) 電晶體,隨著傳統 2D 微縮技術逐漸式微,預計此技術將有效提升邏輯單元密度的比率,進一步協助晶圓廠改善次世代邏輯晶片的功率、效能、單位面積、成本與上市時間 (PPACt)。

應材半導體資深副總裁暨半導體產品事業群總經理帕布 ‧ 若傑 (Prabu Raja) 強調,公司策略是成為 PPACt 推動公司,已備妥為 GAA 製造提供業界最完整的產品組合,包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案,以產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。






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