SK海力士無錫廠升級受阻 DDR4價格恐有壓

SK海力士無錫廠升級受阻 DDR4價格有壓、模組廠可望受惠。(圖:AFP)
SK海力士無錫廠升級受阻 DDR4價格有壓、模組廠可望受惠。(圖:AFP)

記憶體大廠 SK 海力士計畫升級中國無錫廠設備,導入 ASML 的 EUV(極紫外光) 設備機台,但傳遭美方出手阻撓;市場預期,SK 海力士無錫廠升級計畫受阻,恐無法轉進生產下世代 DDR5 產品,DDR4 供給不如預期減少,價格恐續下挫,模組廠則可趁低價備貨料源,可望因此受惠。

SK 海力士無錫 DRAM 廠月產能 18 萬片,採 1Y 奈米製程生產,主要產品為 DDR4,無錫廠占 SK 海力士約半數 DRAM 產能,全球市佔率則為 15%。而 SK 海力士計畫在無錫廠引進最新 EUV 設備,卻遭美方阻撓,無錫廠升級計畫因此受阻。

SK 海力士今年 7 月宣布以 EUV 設備、採用 1a 奈米製程,量產 8GB 容量 LPDDR4 行動裝置用 DRAM,並計畫在未來所有 1a 奈米的 DRAM 生產上,全面導入 EUV 技術,以確保品質穩定;SK 海力士也計畫 2022 年初時,採用 1a 奈米製程生產 DDR5 產品。

業界人士認為,在升級計畫受阻下,可能影響 SK 海力士無錫廠轉進 1a 奈米製程腳步,後續生產下世代 DDR5 產品也將受影響。

市場預期,SK 海力士無錫廠原先計畫升級的設備,可能維持既有製程生產,DDR5 市場競爭壓力將趨緩,DDR4 則因供給不如預期減少,價格恐持續下挫,模組廠威剛 (3260-TW)、宇瞻 (8271-TW)、十銓 (4967-TW),則可趁低價備貨建庫存。


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