明年記憶體將供過於求 DRAM下半年可望重啟漲價

明年記憶體將供過於求 DRAM下半年可望重啟漲價。(圖:AFP)
明年記憶體將供過於求 DRAM下半年可望重啟漲價。(圖:AFP)

據研調機構 TrendForce 研究顯示,明年 DRAM、NAND Flash 產業都將處於供過於求狀態,導致全年平均銷售單價下滑將超過 15%,但預期 DRAM 下半年就可望重啟漲價。

TrendForce 指出,明年 DRAM 供給位元成長率約 18.6%,但買方庫存水位已偏高,加上需求位元成長率僅 17.1%,明年 DRAM 產業將由供不應求轉至供過於求。

儘管 DRAM 價格將因供過於求而出現下滑,但 TrendForce 預期,在寡占市場型態下,整體產值並不會大幅下跌,預估明年 DRAM 總產值將達 915.4 億美元,年增幅 0.3%。

TrendForce 以明年各季度的供過於求比例作為預測基礎,預期 DRAM 平均銷售單價將年減 15%,而價格下滑幅度在上半年較為明顯;下半年起受惠 DDR5 滲透率提升與旺季需求效應帶動,均價跌幅將收斂,不排除有持平或漲價的可能。

NAND Flash 方面, 明年供給位元年增長率約 31.8%,需求位元年成長幅度為 30.8%,明年 NAND Flash 價格也將受供過於求影響而下滑。

由於 NAND Flash 屬完全競爭市場,均價下滑幅度將較 DRAM 明顯,但 NAND Flash 在層數結構堆疊持續推進,供給位元成長仍維持在 30% 以上情況下,預估明年總產值仍有成長空間,達 741.9 億美元、年增 7.4%。

TrendForce 預估,明年 NAND 平均銷售單價將年減 18%,價格下滑幅度也是在上半年較明顯,下半年起受惠旺季需求效應帶動,均價跌幅較收斂,或有單季價格持平的可能。
 


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