SK海力士研發出第4代高頻寬記憶體HBM3

SK海力士研發出第4代高頻寬記憶體「HBM3」 (圖片:AFP)
SK海力士研發出第4代高頻寬記憶體「HBM3」 (圖片:AFP)

據南韓《中央日報》報導,SK 海力士 (000660-KR) 20 日宣布,該公司已研發出當前規格最高的高頻寬記憶體「HBM3」,在 2020 年 7 月的時候,海力士也領先業界推出「HBM2」的擴張版本「HBM2E」。

高頻寬記憶體 (High Bandwidth Memory,HBM),是透過 DRAM 裸晶的堆疊,提升數據處理速度,這回 SK 海力士的 HBM3 是第 4 代產品,從最早的 HBM、HBM2、HBM2E 一路發展而來。

SK 海力士強調,透過 HBM3 的研發,實現了 DRAM 當中速度最快、容量最大的產品,品質也大幅提升。

HBM3 的數據處理速度高達 819 GB/s,SK 海力士表示,可在 1 秒時間處理 163 部容量 5 GB 大小的 Full HD 影片;與上一代的 HBM2E 相比,HBM3 處理速度快上約 78%。此外,HBM3 還內建 ECC 錯誤檢查和糾錯技術。

SK 海力士推出 16 GB 和 24 GB 兩種容量的 HBM3,其中的 24 GB 是業界容量之冠。該公司表示他們利用矽穿孔 (TSV) 堆疊技術,讓該產品的生產得以實現。

應用方面,除了高性能資料中心,也適合搭載在超級電腦上頭來進行氣候變遷的分析和新藥的研發、以及 AI 人工智慧的機器學習等。

負責 SK 海力士 DRAM 研發的車宣龍副社長表示,該公司推出了全球首款 HBM DRAM,引領了 HBM2E 市場,也是業界首度成功研發出 HBM3 的企業。並表示 SK 海力士將鞏固在高階儲存市場的領導力,並提供符合 ESG 的產品,盡最大努力提升客戶價值。


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