日經:第三代半導體專利競爭 美日企業包下前五名

日經:SiC專利競爭 美日企業包下前五名 (圖片:AFP)
日經:SiC專利競爭 美日企業包下前五名 (圖片:AFP)

第三代半導體碳化矽 (SiC) 的專利競爭激烈,根據《日本經濟新聞》7 日報導,相關專利數量最多的前五名都是來自美國、日本的大企業。其中第一名是美國科銳 (Cree),接下來是日本羅姆 (Rohm)、住友電工、三菱電機和 Denso。

日本經濟新聞在 7 日報導中提到,根據從事專利分析的日本 Patent Result 所整理出的數據,在與第三代半導體碳化矽有關的專利方面,美國科銳所持有的專利數量最多,二到四名則全部被日本企業包辦。

Patent Result 的計算方式是基於 2021 年 7 月 29 日為止的美國已發行專利數量,再把數量及矚目程度轉換成分數來算出得分。

碳化矽可取代以往半導體材料的矽利光 (Silicone),特別是在功率半導體等用途上,可提升性能、也有利節能。目前碳化矽已普遍使用在電動車和太陽光電系統的變頻器上頭,用途也愈來愈廣。還有在脫碳潮流的發展之下,碳化矽的應用也備受矚目。

依照 Patent Result 的分析,第一名科銳的強項是在碳化矽基板和磊晶領域,第二名和第五名的羅姆和 Denso 的專長是在電力損失的降低方面,第三名的住友電工擅長於碳化矽的結晶結構,第四名的三菱電機則在半導體裝置的構造方面擁有強項。


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