台積電揭露2奈米最新進度 已進入技術研發階段

台積電揭露2奈米最新進度 進入技術研發階段。(圖:AFP)
台積電揭露2奈米最新進度 進入技術研發階段。(圖:AFP)

晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 年報揭露 2 奈米最新進度,在初步研究及路徑尋找後,台積電進入 2 奈米製程技術研發階段,著重於測試鍵與測試載具設計與實作、光罩製作及矽試產。

台積電去年成功量產 5 奈米技術,且受惠客戶對 5 奈米及 7 奈米技術的強勁需求,帶動台積電營收連續 11 年締造歷史新高紀錄。台積電 3 奈米主要客戶已於去年完成矽智財設計,並開始進行驗證,預計今年完成 3 奈米製程技術驗證,以進入試產。

微影技術方面,台積電去年研發重點 3 奈米、2 奈米技術開發,及下世代奈米技術開發的先期準備。針對 3 奈米技術開發,極紫外光 (EUV) 微影技術展現極佳的光學能力,與符合預期的晶片良率。

台積電研發單位正致力於極紫外光技術,以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差,並降低整體成本。台積電表示,今年在 2 奈米及更先進製程上,將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。

相較於前一年度年報中指出,極紫外光技術正逐步邁向全面生產製造就緒。台積電在此次年報中透露,極紫外光光阻製程、光罩保護膜及相關的光罩基板,都展現顯著進步,極紫外光技術已全面量產。

此外,光罩技術在先進微影技術中極為關鍵。台積電去年完成 3 奈米製程光罩技術開發,大量導入更複雜且先進的極紫外光光罩技術,且持續精進極紫外光光罩技術,以滿足 2 奈米微影技術在光罩上的需求。

台積電 3 奈米仍採用鰭式場效電晶體 (FinFET) 架構,但 2 奈米後將轉向環繞閘極 (GAA) 架構;未來 2 奈米更先進技術的研發基地將在新竹寶山,同時也在寶山積極爭取土地,2 奈米生產也將落腳於此。


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