三星:下半年開始向DDR5過渡 速度將提高一倍

三星:下半年開始向DDR5過渡 速度將提高一倍(圖:AFP)
三星:下半年開始向DDR5過渡 速度將提高一倍(圖:AFP)

三星電子周四 (25 日) 宣布新一代記憶體晶片計畫,存取速度將在現有技術的基礎上提高一倍,並提供迄今為止最大的容量,從而加速數據中心和超級電腦的轉型。

做為全球最大記憶體晶片製造商,三星表示,512GB DDR5 記憶體模組將擴展其現有產品組合,採用 HKMG(High-K Metal Gate) 製程,DDR5 的記憶體速度將是目前 DDR4 的兩倍,同時減少功率洩漏,並減少 13% 的功耗。

三星稱,DDR5 速度高達 7200Mb/s,共有 40 個 DRAM 晶片,每個 DRAM 晶片擁有 8 層 16Gb DRAM,這些模組堆疊在一起,採用 TSV(Through-Silicon-Via, 矽穿孔) 技術。

TSV 於 2015 年首次在 DRAM 中使用,當時三星推出了容量高達 256GB 的伺服器模組。三星預計,將在今年下半年開始向 DDR5 的過渡。

晶片行業一直期待英特爾 (INTC-US) 即將推出,代號為 Sapphire Rapids 的 Xeon 可擴展處理器採用新的記憶體標準,並對其提供支援。三星表示,除了與兩家主要的 CPU 供應商英特爾及和 AMD(AMD-US) 合作,也向數據中心平台的開發者,發送了新記憶體的樣品。

分析師估計,DDR5 晶片將比 DDR4 晶片大 20% 左右,這將加大半導體供應鏈的壓力。三星打算今年開始出貨,並逐步改進其製造工藝及定價。三星認為,預計 2023 年下半年,DDR5 將開始取代 DDR4。

TrendForce Research 副總裁 Avril Wu 表示,隨著 DDR5 的滲透率逐漸提高,預計 DRAM 的短缺,將在 2022 年持續存在,價格可能較最初上漲 30-40%。


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