〈中美晶入股宏捷科〉雙方加速開發氮化鎵產品 中美晶後續不排除增持

中美晶董事長徐秀蘭。(鉅亨網資料照)
中美晶董事長徐秀蘭。(鉅亨網資料照)

中美晶 (5483-TW) 入股砷化鎵代工廠宏捷科 (8086-TW),成最大股東,中美晶董事長徐秀蘭表示,未來氮化鎵應用量非常大,雙方攜手合作後,將加速開發氮化鎵 (GaN) 產品進程,未來也將加入宏捷科董事會,後續也不排除繼續增持,甚至進一步取得控制權。

中美晶近年來積極佈局半導體材料產業,除矽晶圓外,在氮化鎵 (GaN) 晶圓方面已投入逾 7 年時間,碳化矽材料今年也邁入第 4 年,為加速化合物半導體材料發展進程,今年也與交大合作,成立化合物半導體研究中心。

由於宏捷科在砷化鎵晶圓代工領域擁有自主技術,營運體質穩健,近年也積極開發氮化鎵 (GaN) 產品,與環球晶致力研發的寬能隙晶圓材料,具有上下游材料供應互補綜效,雙方經過半年時間討論、相互了解,決定共同攜手佈局氮化鎵領域。

此次中美晶全數認購宏捷科私募現增 4500 萬股,共斥 34.965 億元,持股比重 22.53%,成為最大股東。

中美晶董事長徐秀蘭表示,宏捷科是化合物半導體材料客戶,在晶圓代工後段製程成熟度高,從砷化鎵到 GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵) 的製程轉換相對較快,中美晶可藉此獲得客戶回饋,提供符合需求的化合物半導體晶圓。

徐秀蘭指出,氮化鎵應用包括 5G 基地台與手機、電源、電動車等三大領域,未來應用量很大,許多客戶在催促晶圓研發進程,但磊晶方面較困難、成本也較高,未來隨著規模放大,成本自然會下降,預計近 2、3 年是氮化鎵相關材料逐步放量的轉捩點。

目前中美晶集團旗下佈局的化合物半導體晶圓,包括碳化矽 (SiC)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si(矽基氮化鎵),碳化矽目前月產能近 2000 片,在取得認證中;GaN on SiC 製程難度較高,目前只做到 4 吋。

至於 GaN on Si 方面,6 吋產能已量產,徐秀蘭表示,內部分為兩組人馬,一組致力於 6 吋產能放量,一組則是積極研發 8 吋產能,許多客戶盼能直接提供 8 吋晶圓,但這是一大挑戰。


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