〈政院推台灣轉型〉打造半導體先進製程中心 目標2030年產值達5兆

左起為國發會副主委游建華、行政院發言人丁怡銘、經濟部次長林全能。(圖:行政院直播)
左起為國發會副主委游建華、行政院發言人丁怡銘、經濟部次長林全能。(圖:行政院直播)

行政院長蘇貞昌今 (2) 日於院會裁示,未來要將台灣打造成為亞洲高階製造、半導體先進製程二大中心,爭取國內外大廠在台投資,並建構完整的設備、材料供應鏈在地化,未來投資額上看 1.2 兆元,目標 2030 年半導體產值達 5 兆元。

工業局副局長楊伯耕說明,半導體先進製程中心方面,將完備半導體產業生態系,主要利用國內半導體產業發展需求,扶植國內材料與設備產業。

楊伯耕指出,我國晶圓代工、IC 專業封測位居全球第一,IC 設計及總產值為全球第二,國內需求相當大,去年設備及材料皆占全球約 4 分之 1,預估未來投資將超過 2.72 兆元,設備採購估達 1.9 兆元。

半導體材料的部分,楊伯耕表示,未來將推動供應在地化,透過引進外商投資設廠,前段包括光阻、研磨後清洗液,後段則是封裝材料及無機粉體,目前都持續在推動中,此外,也希望已在台設廠的外商能持續擴大投資。

為推動技術自主化,政府希望外商來台設立研發中心,透過研發投資抵減,鼓勵先進技術在台扎根,例如推動開發深紫光光阻、原子層沉積材、晶圓材料等,此外,政府將建置材料與元件驗證平台。

至於半導體設備方面,政府也希望推動在地化,首先引進外商投資、盤點需求,再來建置在地供應鏈,扶植台廠與國際技術媒合,最後則是人才資金補助,藉由全球研發創新夥伴計畫吸引優秀國際人才。

此外,在先進封裝設備國產化上,楊伯耕指出,政府將給予補助,協助國內設備製造商驗證並改善製程,為國內半導體大廠生產所需的設備,指標客戶如台積電 (2330-TW)、日月光與矽品、聯電 (2303-TW)、力成 (6239-TW) 等。

楊伯耕強調,半導體先進製程中心及亞洲高階製造中心未來將投資 1.2 兆元,目標 2030 年我國半導體產值達到 5 兆元,讓台灣半導體維持領先地位,並搶占全球供應鏈的核心地位。


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