〈觀察〉記憶體業今年迎好年 台廠新製程技術將問世

今年NAND價格可望走出去年雪崩慘況、穩健向上。(圖:AFP)
今年NAND價格可望走出去年雪崩慘況、穩健向上。(圖:AFP)

歷經一年多的景氣循環,記憶體大廠庫存去化有成,加上供給端新增產能有限,今年受惠 5G 時代來臨,供需將趨於平衡,甚至可望供不應求;隨著產業將迎來好年,台廠今年也將陸續有新製程技術問世,搭上產業景氣步入上升循環的多頭行情。

過去一年多以來,DRAM 原廠去化庫存有成,除去年第 3 季旺季需求順利啟動外,市場新產能也有限,在 5G 需求帶動下,加上智慧音箱、4K/8K 電視、ADAS(先進駕駛輔助系統)、物聯網與人工智慧等,也將持續推升 DRAM 需求,業者看好,今年 DRAM 供需將趨於穩定,下半年甚至可能供不應求。

NAND Flash 除供應商庫存持續下降、供給成長也保守,同樣受惠 5G 需求驅動,加上筆電搭載 SSD 比重與容量顯著提升,資料中心客戶也積極備貨,且次世代遊戲主機將搭載 SSD 規格提升等,均成為刺激 NAND Flash 需求增溫的動能,今年 NAND 價格可望走出去年雪崩慘況、穩健向上,下半年也可能面臨供給短缺情況。

就在記憶體產業景氣將走出去年谷底之時,台廠新製程技術也將在今年相繼問世。旺宏 NOR Flash 與 NAND Flash 產品線,一路走來均堅持自主研發技術,去年成功量產 19 奈米 SLC NAND Flash,持續追趕 NAND Flash 大廠腳步,第一批產品 SLC NAND Flash 4GB 產品已出貨美國機上盒大客戶。

除 SLC NAND 外,旺宏今年下半年將量產 48 層 3D NAND Flash,屆時遊戲機大客戶也可望採用,旺宏並預計於 2021 年量產 96 層 3D NAND、2022 年量產 192 層 3D NAND。

華邦電 (2344-TW) 擁有工研院技轉背景,早期 DRAM 製程主要來自由英飛凌分割出來的奇夢達授權,但在奇夢達倒閉後,華邦電買下其 46 奈米 DRAM 製程技術,成為其自主研發基礎,而後成功自主開發 38 奈米技術,並於 2018 年第 4 季開始小幅量產 25 奈米 DRAM 製程技術。

然而,2018 年第 3 季起,DRAM 產業受美中貿易戰影響,加上終端需求趨緩,且供給端集中在下半年開出,DRAM 價格在第 4 季終結連 9 季上揚態勢,而華邦電 25 奈米製程量產的時間點,剛好碰上 DRAM 市況反轉。

受到 DRAM 市況不佳影響,華邦電 25 奈米新製程轉進較為辛苦,客戶端驗證速度趨緩,價格壓力也更大,去年第 2 季 25 奈米占整體 DRAM 營收占比僅約 2%,但第 3 季起受惠傳統旺季需求順利啟動,到第 4 季時占比已成長至 6%,惟受到 DRAM 價格下滑衝擊,加上 25 奈米開發成本高,第 4 季單季營運因此轉虧。

不過,華邦電看好,25 奈米製程良率本季將趨於穩定,新製程轉進可望逐步步入軌道;而為下世代 20 奈米技術做準備,華邦電也將在中科 12 吋廠進行新製程研發,新設備裝機導入預計今年第 2、3 季可望到位。

南亞科 (2408-TW) 目前主力為 20 奈米製程技術,來自美光授權,今年初並宣佈成功開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術,再度走回自主研發之路,第一代 10 奈米級前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5,涵蓋消費型、低功率與標準型產品,預計今年下半年陸續進入試產。

第二代 10 奈米級製程技術已進入研發階段,預計 2022 年前試產,也會開發第三代 10 奈米級製程技術,確立下世代 10 奈米級 DRAM 將採用自主研發技術,不再走授權,擺脫動輒上百億元的授權金與專利費用。

雖然目前台廠在 DRAM 與 NAND Flash 市場,市占率仍不高,不過,隨著各家記憶體廠自主研發的新製程技術陸續量產,與大廠間的技術差距也逐步縮小,而受惠 5G 商機推升產業需求揚升,今年記憶體將迎來好年,新製程技術的轉進也可望搭上這波景氣上升循環,趁勢起飛。


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