創見Q4營運將優於Q3 明年也會比今年好

創見董事長束崇萬。(鉅亨網記者林薏茹攝)
創見董事長束崇萬。(鉅亨網記者林薏茹攝)

記憶體模組廠創見 (2451-TW) 今 (8) 日召開法說會,董事長束崇萬表示,目前 DRAM 與 NAND Flash 價格相對持穩,加上旺季備貨需求帶動,第 4 季營運將優於第 3 季,明年也會比今年好,他並看好,DRAM 與 NAND Flash 跌價循環將結束,明年可望反彈走揚。

束崇萬表示,過去 2 年以來,公司持續去化庫存,剛好 DRAM 與 NAND Flash 歷經一波跌價潮,創見也因庫存管理得宜,存貨損失相對較小。從存貨金額來看,2017 年 6 月時,存貨金額還有近 60 億元,但今年第 3 季已下降至約 17 億元,大幅減少逾 7 成。

束崇萬指出,目前庫存中,約 7 至 8 成為嵌入式產品存貨,而整體庫存正處於相對偏低水位,第 4 季起將調整存貨策略,開始建立庫存。

過去 2 年除積極去化庫存外,創見也積極調整產品佈局,束崇萬表示,由於標準型 DRAM 等商用型產品營運風險較大,近來已專注於嵌入型或策略型等高價值產品,追求獲利表現。

從今年第 3 季營收占比來看,標準型 DRAM 由 2017 年的 18.2% 下降至 15.8%,消費型 Flash 由 18.8% 小幅減少至 18.6%,策略型產品由 19.2% 提升至 21%,工控產品也由 43.9% 拉升至 44.6%。

記憶體價格方面,束崇萬也看好,DRAM 與 NAND Flash 歷經過去一年多的跌價,循環週期將至,差不多快進入價格反轉時期,看好明年價格可望反彈走揚。

展望本季,束崇萬表示,由於 NAND Flash 與 DRAM 價格相對持穩,且旺季備貨需求仍在,營運可望優於第 3 季,明年在價格持續改善,且 5G 需求啟動下,看好整體營運將優於今年。


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