英特磊去年獲利新低 VCSEL磊晶片量產拚營運回穩

英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (28) 日召開法說會,去年稅後純益 5140 萬元、年減近 6 成,每股純益 1.42 元創新低,不過總經理高永中表示,目前 VCSEL 磊晶片已經進入量產,切入資料中心,另外他也預期毫米波 PA(28 GHz) 將進入 5G 手機應用,因此也與大廠合作開發大尺寸 5G 應用 HBT。

英特磊去年營收 6.5 億元,年減 26.1%、毛利率 35.7%,年減 1.3 個百分點、營益率 9.5%,年減 10.9 個百分點,稅後純益 5140 萬元,年減近 6 成,每股純益 1.42 元,公司擬配息 1 元。

高永中表示,去年因為客戶調節庫存,拉貨動能趨緩,營收下滑、毛利也隨之下降,營益率更因為固定生產成本減少有限,導致本業獲利大幅萎縮,獲利也寫下歷年新低。

以各產品營收佔比來看,去年砷化鎵佔 55%,磷化銦佔 25.2%,銻化鎵佔 19.2%。

展望今年,高永中強調,砷化鎵產品方面,主要用於汽車防撞雷達與高頻國防應用,高毛利 pHEMT 晶片為主,而 VCSEL 磊晶片已初步進入量產,主要用於資料中心。

磷化銦產品方面, APD 及 PIN 磊晶片需求,也可望隨大型資料庫、雲端運算線路同步成長。

此外,受惠 5G 基礎建設,高永中表示,近期磷化銦 HBT 用於 5G 產品可望增加,另外大尺寸 5G 應用 HBT 也與大廠合作開發,他認為今年底毫米波 PA(28 GHz) 將進入 5G 手機應用。