東芝佳能研發3D快閃記憶體
鉅亨網新聞中心 2014-06-02 11:22
據新華社電為了掌握大容量存儲器新技術,增強與韓國三星等公司的競爭能力,日本東芝和佳能兩家公司決定聯合研發高性能3D快閃記憶體,力爭在2016年投入量。
3D快閃記憶體是下一代快閃記憶體技術,相對於2D快閃記憶體技術,3D快閃記憶體把存儲單元垂直疊加,可大幅提高存儲器容量,但對製造工藝要求更高。2013年,三星推出一款128GB的3D快閃記憶體晶片,成為首家量3D快閃記憶體的公司。
據東芝公司官方網站披露,隨大數據時代到來,對能夠存儲大量數據的存儲器的需求將急劇增加。為了在業競爭中與韓國三星等公司抗衡,東芝決定與佳能公司合作,利用各自的技術優勢聯合研發。
東芝生3D快閃記憶體的新工廠預計將於2015年夏季竣工,計劃從2016年開始批量生3D快閃記憶體。
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