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聯電14奈米報喜 客戶晶片進入量產 將因應需求擴產

鉅亨網記者蔡宗憲 台北 2017-02-23 18:52

晶圓代工聯電 (2303-TW) 今 (23) 日宣布,自主研發的 14 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET) 製程技術,已成功進入晶片量產階段,功耗比 28 奈米減少 50%,聯電表示,此客戶目前正在台南 Fab 12A 晶圓廠生產,未來將因應需求擴充產能。

聯電執行長顏博文表示,14 奈米目前也與其他客戶合作進行,將持續優化製程,充分發揮 14 奈米 FinFET 在效能、功耗與閘密度具備之優勢。

他指出,聯電開發新製程,將推動次世代矽晶片應用在網路、人工智慧與各類消費產品等各領域應用上。

聯電表示,14 奈米 FinFET 製程效能競爭力已達業界標準,速度較 28 奈米增快 55%,閘密度則達 2 倍,此外,功耗也較 28 奈米減少約 50%。同時,14 奈米 FinFET 製程已達量產規模,並在台南 Fab 12A 晶圓廠生產中,開始出貨,未來將因應客戶需求,穩步擴充其產能。
 

 

 






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