韓廠擴軍、記憶體投資年增3成!當心市場供給過剩
※來源:MoneyDJ理財網

MoneyDJ 新聞 2017-02-17  記者 陳苓 報導

記憶體市場競爭激烈,韓商為了保住技術優勢狂砸錢,估計今年投資額將比去年提高將近三成。

BusinessKorea 17 日報導,國際半導體設備材料產業協會 (SEMI) 數據顯示,三星電子和 SK 海力士(SK Hynix),今年計畫斥資 140 億美元,投資半導體設備,總額比去年的 110 億美元,高出 27.3%。其中三星將砸下 100 億美元,SK 海力士則會花費 40 億美元。

韓廠投資規模在全球居冠,今年除了英特爾 (Intel) 之外,台積電(2330)、美光、陸廠中芯國際都打算減少設備投資。

三星和 SK 海力士擬大舉投資,提高 3D NAND flash 的生產比重。目前三星 DRAM 和 NAND flash 的生產比重為 6:4,SK 海力士則為 7:3,都仍以 DRAM 為主。兩家業者都計畫增產高附加價值的 3D NAND,尋求更高獲利,做出市場區隔。

不過韓廠砸錢投資,可能會讓記憶體市場再陷供過於求。BusinessKorea 先前報導,瑞銀 8 日報告稱,2017 年 SK 海力士表現將創歷史新高,但是 2018 年好景不再,營益將慘跌 36%。

瑞銀估計,SK 海力士的主力業務 --DRAM,將從第二、三季開始供過於求。NAND flash 則會 2017 年下半開始供給過剩,2018 年更為嚴重。有鑑於此,瑞銀宣布調降 SK 海力士評等。

消息傳出後,SK 海力士 9 日大跌 3.48%、10 日再跌 5.12%。15 日收盤價跌至 47,900 韓圜之後,開始止跌回升,17 日早盤上漲 2% 左右。

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